C35 GTO缓冲吸收电容器
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型号
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规格
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价格(元）
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尺寸（mm)
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引出
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C35
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0.47vF/5000V
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50
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Φ53*L50
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M6
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价格仅供参考，以报价单为准。
主要应用/Application
广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流，高压场合。
Widely used in GTO snubber，high current and high voltage application.
产品特点/Characteristics
电介质：聚丙烯薄膜
结构：金属化膜内串结构
封装：外包阻燃迈拉胶带，阻燃（94V-0级）环氧封装
引出： M6或M8铜螺母引出
能承受大电流，高电压
低损耗、高稳定
具有自愈性
Dielectric：Polypropylene film
Construction：Metalized film internal
series connection
Coating：Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution（UL94V-0）
Terminals：Copper nut leads，threaded insert M5,M6 or M8
High current，high voltage
Low losses，high stability
Self healing
技术性能/Specifications
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引用标准/Reference
standards
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GB/T 17702 IEC 61071
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工作温度范围/Operating
temperature range
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-40℃～85℃
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容量范围/Capacitance
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0.33μF～3.0μF
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额定电压/Rated Voltage
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4000Vdc～10 000Vdc
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容量偏差/Tolerance
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±5% ±10%
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极间耐电压/Test voltage
between terminals
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1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃
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极壳耐电压/Test voltage
between terminals and case
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3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
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损耗角正切/Dissipation
factor
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tgδ≤8×10-4 at 25℃±5℃，1kHz
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绝缘电阻/Insulation
resistance
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C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
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预期寿命/Life expectancy
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200000h at Ur and 70℃
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华裕电容-高品质金属化薄膜电容专业制造商