三菱电机株式会社此次推出采用了SiC※1的功率半导体新产品“SiC-SBD※2”，新产品为有效降低用于空调及太阳能发电中的家电工业用电源系统的耗电量、缩小其体积做出了贡献。该产品将于3月1日起陆续发售。
※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管
新产品的特点
1．通过采用SiC，为降低耗电量、缩小体积做出贡献
通过使用SiC大幅降低开关损耗，降低约21％的电力损耗※3
实现高速开关，为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献
※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si（硅）二极管相比
2．通过采用JBS结构，提高可靠性
采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构
通过JBS结构提高浪涌电流耐量，从而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
发售概要
销售目标
近年来，出于节能环保的考虑，人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※5的SiC功率半导体模块，广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等，为降低家电及工业机械的耗电量，缩小其体积和重量做出了贡献。
在这一背景下，此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。搭载在电源系统中的“SiC-SBD”，将为降低客户的系统耗电量，缩小体积做出贡献。
本产品的开发部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。
※5 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管
主要规格
※6 8.3msec, sine wave
