英特尔预计将在90纳米节点采用低K介电质制造首批芯片。该芯片巨头在130纳米节点曾经延后使用低K材料，转而采用更成熟的硅酸氟玻璃(FSG)薄膜。在90纳米节点，英特尔早前出人意料地选择荷兰ASMI(ASM International NV)公司作为其低K工具供应商。相对于在低K领域的竞争强手应用材料、Dow和Novellus等公司而言，ASMI对低K可谓一无所知。
ASMI对英特尔的影响巨大。据消息称，该芯片巨头还在90纳米节点采用了ASMI的应变硅工具。ASMI面向低K领域提供化学汽相沉积(CVD)薄膜，名为Aurora，K值为3.0~2.7。英特尔据称在90纳米将Aurora用于300mm衬底，目前还不清楚该公司是否将把该技术用于65纳米节点。
许多人相信英特尔很可能继续在65纳米节点采用Aurora，因为要改变低K材料供应商和薄膜很困难。ASMI将不动声色地推出用于65纳米的下一代薄膜“Ultra Aurora”，K值为2.4，气孔尺寸为5埃。据称该薄膜的K有效值为2.7~2.5。第一代Aurora的气孔尺寸为50埃。该公司还在研制名为ELK的45纳米薄膜，K值为2.2。
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