IBM周五推出一项微芯片工艺技术中的新改进。该公司表示，这项改进将让为手机和其它通信设备制造更高速的硅设备一事成为可能。
在周四发表的一份声明中，蓝色巨人表示他们将开始向客户提供一种经过改进的、在硅芯片上布锗线的技术。
IBM表示，他们在十年前就发明了硅锗工艺技术，然后一直对之进行改进。通过把锗加入到硅中——就是我们所说的半导体掺杂过程——芯片做电平翻转的速度就能更快。这种速度增长对射频通信设备尤其有意义，因为他们需要对信号做高速的调制。
IBM表示，改进后的技术能让芯片在200GHz这个频率上运作，也就是说每秒动作2000亿次。这种速度有助于通信技术，甚至包括汽车的反撞雷达技术的进步。
硅锗是芯片标准工艺技术CMOS的一种替代品。然而目前，硅锗在整个芯片市场上所占的份额还很小，其每年的销售在16亿美元左右。