• 官方微信

    CA800二维码微平台 大视野

  • 工控头条

    CA800二维码工控头条App

当前位置:自动化网>自动化新闻>行业资讯>IR推55V HEXFET功率MOSFET

IR推55V HEXFET功率MOSFET

发布时间:2005-11-24 来源:中国自动化网 类型:行业资讯 人浏览
关键字:

功率MOSFET

导  读:


  IR公司推出两款获Q101证书的55V汽车电子HEXFET功率MOSFET--IRF3805S-7P和IRF1405ZS-7P。这两种器件可分别提供连续电流160A和120A,设计用于大占空比电流汽车电子,如电功率控制(EPS)、14V综合起动器交流发电机(ISA)系统和先进的交流发电机有源整流。  

  标准的3引脚D2Pak封装器件电流限制在75A到100A,取决于引线的截面积和制造方法。而IR的这两款新器件有7条引脚。附加的引脚有较宽的焊线面积,降低无芯片时封装的电阻,使得器件在25℃时的导通电阻最大为2.6mΩ。  
  
  IRF3805S-7P和IRF1405ZS-7P适合用来替代多个D2Pak器件和有较大过孔的封装器件。此外,数据表上的可重复雪崩(Ear),以及能保证工作在最大结温(Tj-max)的特性适用于汽车电子。  

  上述两款器件均采用D2Pak封装,IRF3805S-7P的导通电阻为2.6mΩ,IRF1405ZS-7P的导通电阻为4.9mΩ,典型RDS(on) 2.10时,温度系数分别为0.50℃/W和0.65℃/W。这两款7引脚的汽车电子MOSFET可提供现货,10K件订量IRF3805S-7P的单价为2.85美元(仅供参考)。 
 




本文地址:http://ca800.com/news/d_1nrusj6oamt34.html

拷贝地址

上一篇:富士通与博世达成合作协议 开发汽车MCU

下一篇:Gopel Elec多总线控制卡可同时检测多条汽车总线协议

免责声明:本文仅代表作者个人观点,与中国自动化网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容!来源网络如有误有侵权则删。

相关新闻
功率MOSFET
  • Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

    Vishay宣布推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数,该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。

  • 意法半导体推出新款功率MOSFET

    意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。

  • 英飞凌新产品为汽车电子加足马力

        德国英飞凌科技公司推出了两个全新产品家族:一个是功率MOSFET系列,另一个是基于新一代沟槽技术的智能高端开关IC系列。这两个全新的产品系列进一步拓展了英飞凌专为满足汽车电子元件苛刻的环境和运行要求而设计的功率IC产品的范围。      此外,英飞凌还为通用汽车电子

  • 低RDS(ON)功率MOSFET实现更佳的汽车性能

        随着人们对驾驶室功能的需求不断增加,以及大型汽车对发动机的功率连同行驶里数的需求不断上升,新型低阻抗功率MOSFET遂应运而生,可实现汽车从传统的发电系统和液压系统转移到电子系统。这些新型低阻抗功率MOSFET有助于在增强汽车的舒适性和安全性的同时提高行驶里数。     

  • 东芝新型功率MOSFET 开关特性业界最低

    东芝日前开发出了导通电阻仅4Ωmm2的功率MOSFET产品“TK15A60S”,导通电阻比原产品降低了约60%。栅-漏极间的寄生电容为27nC,作为功率MOSFET开关特性指标的Ron×Qgd(导通电阻与栅-漏极间寄生电容的乘积)比该公司原产品降低约1/4。Ron×Qgd为“业界最低”(东芝)。主要面向电视机等家电类AC适配器等领域。耐压600V。源-

更多精彩信息看点 请扫描以下二维码