美国国家半导体(简称“国半”)宣布推出九款采用专有的VIP50 BiCMOS工艺技术制造的单组装、双组装及四组装运算放大器。这九款产品不但在准确度、功耗及电压噪音等方面有大幅的改善，符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的严格要求，而且体积也极为小巧，适用于各种便携式电子产品。
LPV531、LMV654、LMV792、LMV796及LMV797等芯片是国半最新推出的五款低功率、低电压放大器。这五款产品的增益带宽积都达到先进水平。以12MHz单位增益带宽的 LMV654四组装运算放大器为例来说，其耗电量比主要竞争产品少50%。LMV792系列芯片适用于-40℃至125℃的广阔温度范围，并保证这个范围内的噪音低至只有5.8nV/sqrt Hz，而输入偏置电流则低至只有100fA。
此外，LPV531微功率运算放大器设有可调节的增益带宽控制，而且只需利用一个外置电阻便可控制功率调节功能。这款放大器芯片只需调节同一外置电阻的偏压，便可因应实际工作量而在待机模式与全功率模式之间进行切换。国半在不久之前已推出 LMV651、LMV791和LPV511等多款单组装放大器以及LPV7215微功率比较器，这几款低功率、低电压产品是继这几款单组装产品之后最新推出的几个型号。
据介绍，国半此次推出LMP7704、LMP7712、LMP7715及LMP7716等四款全新的高精度放大器，使这系列VIP50高精度放大器产品有更多型号可供选择。这四款全新的单组装、双组装及四组装放大器不但性能更高，而且输入偏移电压不超过220uV，输入偏置电流则保证低于50pA。此外，这四款芯片都可利用达12V的供电操作。
LMP7712双组装运算放大器的MOS输入电流极低(50fA)，但噪音仍可保持在6nV/sqrt Hz 以下的低水平，有助减少失真及信号调节错误。由于采用高精度薄膜电阻及匹配完好的晶体管对，从而确保其输入电压偏移错误保证不会超过180uV，而且共模抑制比(CMRR)及电源抑制比(PSRR)都可提高至100dB。此外，这款芯片适用于-40℃至125℃的温度范围，并保证这个范围内的偏移电压漂移(TCVos)低至只有1.75uV/℃。
LMP7704四组装高精度放大器可以利用2.7V至12V的供电操作，而且其轨到轨CMOS输入的输入偏压电流低至只有200fA。该器件利用微调及设计技术彻底清除传统CMOS轨到轨输入放大器常有的较大偏移错误，来改善输入偏移电压，使整个共模电压范围(0V至 12V)内的输入偏移电压不超过220uV。这款运算放大器芯片也采用已注册专利的校正技术，以调低偏移电压温度系数，以一般的CMOS高精度放大器为例来说，这个系数通常都很大。这款产品采用14引脚TSSOP封装。
LMV792、LMV796及LMV797等三款低噪音CMOS输入双组装运算放大器的平带噪音只有5.8nV/sqrt Hz。此外，这几款运算放大器的偏移电压不会超过1.35mV，而温度系数则低至1.8uV/℃以下，两者都有助提高系统的准确性。这几款芯片的PSRR及CMRR都达100dB，确保使用直流电时的表现符合高性能应用的要求。此外，LMV792放大器芯片还设有停机功能，可将空闲模式的功耗减至1uA以下。LMV792芯片采用10引脚的MSOP封装。LMV796芯片采用5引脚的SOT23封装，而LMV797芯片则采用8引脚的MSOP封装。这两款芯片最适用于以系统停机取代本地停机的应用。
LMV654芯片采用高效率的设计，操作时只耗用400uA的电流，因此耗电比旧型号运算放大器少50%，但即使这样，这款芯片仍可支持12MHz的单位增益带宽，而输入参考噪音电压低至只有17nV/sqrt Hz。由于这款芯片有很多优点，例如输入偏移电压不超过1.5mV、CMRR达100dB及PSRR达95dB，因此可以确保直流电系统在不同的输入电压及供电电压范围内都能符合高准确度的要求。LMV654芯片采用14引脚的TSSOP封装。
上述九款新产品都采用符合VIP50工艺的设计。VIP50是一种绝缘硅BiCMOS工艺技术，其优点是采用可微调而高度准确的薄膜电阻，因此最适用于开发先进的运算放大器及比较器。美国国家半导体可以充分利用其VIP50工艺技术设计一系列全新的高性能、高精度运算放大器以及极具能源效益的低电压放大器产品。
这九款新产品全部都有大量现货供应，采购以1,000 颗为单位，单颗价由0.75美元至2.49美元不等。国半也计划在今年第二季度内继续推出多款双组装版本的低功率、低电压及高精度运算放大器。