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将逐步提高新建多晶硅项目门槛

发布时间:2009-10-20 来源:中国自动化网 类型:自动化要闻 人浏览
关键字:

半导体

导  读:

日前,在西博会2009中国国际硅业大会暨光伏产业发展论坛上获悉,四川将采取六大措施着力打造国家级硅材料及光伏产业发展高地:建立全省硅材料及光伏产业联席会议制度;严格准入制度,做好实施多晶硅行业准入工作的准备;对多晶硅产业链发展提供政策优惠;千方百计保障多晶硅企业天然气需求;在省内大专院校设立硅材料及光伏产业发展的相关专业等。 
  论坛上,工信部副部长陈求发介绍,我国工业硅产能、产量和出口量已居世界首位。今年9月,国务院下发的通知明确提出,新建多晶硅项目规模必须大于3000吨/年,占地面积小于6公顷/千吨多晶硅,而太阳能级多晶硅还原电耗小于60千瓦时/千克。工信部产业司副司长侯世国表示,这一准入门槛还将逐步提高。

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