社会的发展，人类的进步，各种家用电器、电子产品在人类的生活中占据了越来越重要的地位，衣食住行各个地方到处可见。而这些电子产品的组成器件也在不断改进，不断更新，以适应发展的需求，晶体管就是组成器件中不可或缺的一部分。
膜晶体管是一类重要的半导体器件，在平板显示、
传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规SiO2栅介质电容耦合较弱，当前薄膜晶体管的典型工作电压一般大于10V，大大限制了其在便携式领域的应用。研究表明，离子液、离子凝胶（IonGels）具有高达10μF/cm2的低频双电层电容。研究人员采用该类双电层栅介质制作了工作电压仅为1.0V-2.0V有机薄膜晶体管。但到目前为止，该类栅介质很少用于无机氧化物半导体晶体管器件研制。
最近，行业研究人员又开发出一种自组装工艺，仅仅采用一个掩膜版，一次磁控溅射就在双电层栅介质上沉积了ITO沟道、ITO源/漏电极，完成了晶体管制作。深圳市鸿宇电子有限公司是一家主营IC、三极管（晶体管）的公司，经营ON、NEC、VISHAY等各类品牌的产品。另外，课题组该还用单根SnO2纳米线作为晶体管沟道，成功研制了超低压、全透明纳米线双电层晶体管。