上海，2012年7月31日 – 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布其FerVID 家族推出用于RFID标签的一款新的芯片－MB89R112。该芯片用于高频RFID标签，带9 KB的FRAM内存。FerVID家族产品使用铁电存储器（FRAM），具有写入速度快，高频可重写，耐辐射，低功耗操作等特点。新品样片2012年8月起批量供货。
图1：MB89R112芯片图
MB89R112在高频RFID标签行业里拥有领先的内存容量并带有串行SPI接口，这为RFID在嵌入式领域和工业领域的应用开辟了新的可能性。
2004年以来，富士通半导体FerVID家族开发了两个频段的FRAM产品，芯片用于在HF波段(13.56 MHz)和UHF波段(860 ~ 960 MHz)下运行的高性能RFID标签。今天，其产品应用广泛，包括用于工厂自动化和维护部门的数据载体标签的芯片，利用FRAM的快速写入速度和大容量内存空间；用于医疗和制药行业的芯片，可以承受伽玛辐射和电子束；带串口的芯片可以用于嵌入式应用。
除了这些用途外，市场上产生了新的需求，要求产品具有大容量内存，并能连接RFID和传感器及微控制器，用于无线改变产品的运行参数或者在产品分销时无线捕捉环境因素日志。这些功能将有利于汽车和电子制造业的生产控制及飞机、道路、建筑和公共工程的维护应用。
富士通半导体针对这一需求开发了用于RFID标签的芯片－MB89R112，它包括一个串口SPI和9 KB容量的存储空间，目前其它竞争商家在HF频段的还没有同样大存储空间的产品。MB89R112设计为近场无源RFID，符合行业标准ISO/IEC 15693。
MB89R112加入FerVID家族意味着生产线涵盖容量为256 B ~9 KB的高频段芯片和容量为4 KB ~ 64 KB的超高频段芯片。此外，对于嵌入式应用的带串口的芯片，生产线包括4 KB UHF段芯片和9 KB HF段芯片。连同其各种微控制器生产线，富士通半导体几乎能满足您的任何需要。
图2. FRAM RFID产品线路图
MB89R112的特性：
1.高频RFID中内存空间行业领先
该产品包括9 KB的FRAM，这是ISO/IEC15693定义的在高频段运行的RFID芯片所能支持的最大密度产品。9 KB中的8 KB可用于用户内存，配置为256块，每块32B，这可对ISO/IEC 15693定义的整个8 KB区域进行读写访问。写8 KB数据大约需要4秒，这比使用E2PROM的产品快六倍。RFID标签上提供更多的数据，用户可以更有效地使用以下应用：产品生命周期的追踪管理，从制造、物流到使用和处置；现场的数据记录仪，用于记录设备维护日志。
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2.适合嵌入式应用的SPI
该产品包括一个连接到微控制器的串口SPI。微控制器可以通过SPI接口读取FRAM上8 KB的用户数据，共享的用户区域可用作数据记录仪，也可用作改变微控制器的运行参数的参数区域。例如，可用来记录物流的环境读数，检测设备错误，改变电子显示，改变传感器阈值，改变固件设置，并有许多其它以前高不可及的新颖和创新性的用途。
附件：
MB89R112的主要规格
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项
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规格
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内存容量
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9 KB (用户内存空间：8 KB)
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存储块
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32 Byte x 256 Block
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工作频率
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13.56MHz ± 7KHz
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通信标准
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基于ISO/IEC15693
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串行并行接口
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SPI 2MHz (最高)
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数据保存时间
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10 Years (工作温度: -40℃to 85℃)
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重写次数
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1万亿(1012)次
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