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全SiC材料功率模块推进电梯控制设备节能进程

发布时间:2014-03-18 10:20     新闻类型:企业资讯      人浏览
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随着市场对节能产品关注度的高涨,人们对能够大幅降低电能损耗的SiC(碳化硅)材料应用于功率半导体模块的期待也越来越高。

由三菱电机开发的业内首款[1]使用全SiC材料功率模块的高速电梯控制设备,在测试中取得了将功率模块的损耗降低约65%[2]的优异表现。

由此,功率半导体模块及其散热器的小型化离我们越来越近。而且,在能发挥SiC特长的高频开关驱动领域,实现功率变换器的低电感化、设备的小型化成为可能。尤其是,利用这些优势进行合理优化配置,可将控制设备的体积及占地面积削减约40%[3]。

由此可见,这种控制设备投入量产后,在改善控制设备室空间、节能降耗等方面将起到巨大作用。

期待该电梯控制设备能早日通过产品验证,尽快进入量产阶段,为创建绿色家园贡献一份力量。

 

*该设备使用规格为1200V/1200A的功率模块,该功率模块由SiC-MOSFET[4]与SiC-SBD[5]构成。

 

 

 

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[1]      本公司调查截至2013年2月26日

 

[2]      与本公司生产的Si制功率模块相比较

 

[3]      与本公司生产的Si制功率模块相比较

 

[4]      SiC金属氧化物半导体场效应三极管

 

[5]      SiC肖特基势垒二极管

 


本文地址:http://www.ca800.com/news/d_1nsq78aqlfve1.html

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