随着市场对节能产品关注度的高涨,人们对能够大幅降低电能损耗的SiC(碳化硅)材料应用于功率半导体模块的期待也越来越高。
由三菱电机开发的业内首款[1]使用全SiC材料功率模块的高速电梯控制设备,在测试中取得了将功率模块的损耗降低约65%[2]的优异表现。
由此,功率半导体模块及其散热器的小型化离我们越来越近。而且,在能发挥SiC特长的高频开关驱动领域,实现功率变换器的低电感化、设备的小型化成为可能。尤其是,利用这些优势进行合理优化配置,可将控制设备的体积及占地面积削减约40%[3]。
由此可见,这种控制设备投入量产后,在改善控制设备室空间、节能降耗等方面将起到巨大作用。
期待该电梯控制设备能早日通过产品验证,尽快进入量产阶段,为创建绿色家园贡献一份力量。
*该设备使用规格为1200V/1200A的功率模块,该功率模块由SiC-MOSFET[4]与SiC-SBD[5]构成。
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[1] 本公司调查截至2013年2月26日
[2] 与本公司生产的Si制功率模块相比较
[3] 与本公司生产的Si制功率模块相比较
[4] SiC金属氧化物半导体场效应三极管
[5] SiC肖特基势垒二极管