中国 上海，2014年6月5日–日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。
在4号展厅的614展位上，东芝电子将展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)专利产品、Stack(压接装置)产品、SiC(混合型IEGT)产品、IPD + MCU(电机驱动方案)、MOSFETs以及Coupler(光耦)。
展示产品简介：
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE：Injection Enhanced)技术，用于高电压大电流级别的IGBT使其性能得到大幅提升。随后，针对100kW到MW级别的超大功率电力转换设备的应用，开发出东芝专利产品IEGT。IEGT通过采取“注入增强结构”实现了低通态电压，使大功率电力电子器件取得了飞跃性的发展。作为IGBT系列电力电子器件具有良好的发展前景，其具有低损耗、高速开关、高耐压、有源栅驱动智能化等特点。并采用沟槽结构和多芯片并联均流等技术，使其在进一步及扩大电流容量方面颇具潜力。目前，东芝的IEGT主要应用于新能源、太阳能、风能、高压直流输电(HVDC)、牵引用特种电源等特大功率电力领域。随着电力市场项目功率等级和电压等级的不断提高，IEGT的优势逐步得到了体现和认可。现在国内市场上已经有以东芝的IEGT作为核心器件成功运行项目。
Stack(压接装置)
针对PPI压接式封装的产品，需要专用的压接装置，东芝将展示客户版本的压接装置，可供其他客户参考。
SiC (混合型IEGT)
东芝已将新型材料碳化硅的技术，成功地应用于IEGT模块中，取代了IEGT中的二极管，实现了高效和高性能的新产品。
IPD + MCU(电机驱动方案)
东芝智能模块IPD结合了专用驱动芯片MCD，可以支持小功率的电机，并已被广泛地用于家电行业。
MOSFETs
东芝拥有丰富封装的高压MOS管(HV-MOS)和低压MOS(LV-MOS)产品线，能满足从消费类电子到工业相关设备的不同需求。
Coupler(光耦)
东芝光耦的出货量一直保持全球第一，拥有丰富的封装和新产品线，能满足从不同领域的不同需求。
东芝将在节能、环保、绿色及可持续发展等方面以全面创新为己任，整合多领域技术，提供优秀的产品和技术支持。
关于东芝电子
株式会社 东芝半导体&存储产品公司主要从事半导体事业和存储产品事业。其中半导体事业包含领先业界的存储器件、系统LSI、以及占市场顶级份额的分立器件。东芝通过加强电子元器件事业，致力于以存储器和分立器件为中心，为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。更多信息请访问：www.semicon.toshiba.com.cn