中国 上海，2014年9月23日–日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，东芝超级结MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖”。由环球资源Global Sources旗下领先行业媒体《电子工程专辑》、《国际电子商情》及《电子技术设计》共同颁发的“2014中国年度电子成就奖”（The China Annual Creativity in Electronics Awards 2014）颁奖典礼于9月2日在“第十九届IIC-China”（IIC-China研讨会暨展览会）期间举办。
超级结MOSFET
东芝在电源AC-DC转换中使用的高压MOSFET（HV-MOSFET）方面开发出超级结MOSFET，称此结构为Deep Trench MOSFET（DT-MOS）。目前东芝正在扩充第四代产品，与前三代开发出的DT-MOS制造工艺有所不同，从多层外延（Multi-Epi）到单层外延（Single Epi）可以说是一个很大的改变。由于制造工艺的难度很大，如今采用单层外延构造的生产厂家逐渐减少，而东芝至今在单层外延型构造方面仍进行着积极的开发。由于采用单层外延构造，可实现FET的细微化，而且在纵向上控制了不纯物浓度，从而实现了高压和低导通电阻的并存。与多层外延相比，可将高温下的Ron变化控制在最小范围。随着开关噪声的低EMC等需求增加，东芝还准备了控制开关速度dv/dt降低噪声Qgs=110nC的DTMOSⅣ和追求高速开关特性Qgs=85nC的低容量型DT-MOSⅣ-H这两种工艺来满足客户的需求。
东芝超级结MOSFET
关于“2014年度中国电子成就奖”
“中国年度电子成就奖”由环球资源旗下领先电子行业媒体电子工程专辑、国际电子商情及电子技术设计共同举办，旨在表彰对中国电子产业及技术发展做出贡献的人士及企业。其中，“公司”、“技术”及“产品”等奖项由三个专业媒体的电子工程设计和电子企业管理者社群在线投票决定，分析师推荐奖项由分析师团队投票选出。