• 官方微信

    CA800二维码微平台 大视野

  • 工控头条

    CA800二维码工控头条App

当前位置:自动化网>自动化新闻>产品资讯>Power Integrations发布集成了900V MOSFET的 全系列开关电源IC

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的 全系列开关电源IC
——适合480 VAC工业应用和市电电压不稳的地区的家电辅助电源

发布时间:2019-05-08 来源:中国自动化网 类型:产品资讯 人浏览
关键字:

MOSFET 离线式开关电源IC

导  读:

Power Integrations公司今日发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC,也包括适合简单型非隔离降压式变换器的IC。

  美国加利福尼亚州圣何塞,2019年5月7日讯–深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司(纳斯达克股票代号POWI)今日发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC,也包括适合简单型非隔离降压式变换器的IC。其应用范围包括480 VAC三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高品质消费电子产品的电源设计。


离线式开关电源IC,MOSFET



  新产品包括适合简单型非隔离降压式变换器的900 V版LinkSwitch™-TN2 IC,以及适合35 W极高效率隔离反激式电源的三款InnoSwitch™3-EP旗舰系列IC。所有900 V系列器件都具有内部控制引擎,可在整个负载范围内提供一致的高效率,从而使设计轻松满足能源相关产品(ErP)的限值。此外,这些器件还可提供多种输入电压及负载保护,进一步增强系统稳定性和可靠性。

  900V LinkSwitch-TN2 IC可以提供元件数最少的降压式变换器开关电源方案。这些器件的限流点可外部进行设定,同时还完全集成了短路及开环故障状态下的自动重启动保护特性。频率调制的使用可大幅降低EMI。无论在PCB板上还是在IC封装上,器件均能保证漏极引脚至其他引脚之间的高压爬电间距和空间距离符合要求。

  900V InnoSwitch3-EP反激式开关电源IC可提供无损耗的输入过压保护检测,在输入电压超过选定的阈值时可自动中断开关,可防止在严重输入过压情况下对电源造成损坏。器件在各种输入电压及负载条件下均可提供业界领先的高效性能(效率达90%),从而可降低电源损耗,实现无需散热片的紧凑型35 W电源设计。这些900V InnoSwitch3-EP IC采用Power Integrations创新的隔离式数字通信技术——FluxLink™,此外还具有同步整流(SR)、准谐振(QR)开关以及精确的次级侧反馈检测和控制电路。这些特性可实现高效率、高精度和高可靠性的电源电路,并且无需不可靠的光耦器。

  高级产品营销经理Silvestro Fimiani表示:“这些开关电源IC可让三相电表、电机、工业辅助电源、家电以及手机充电器的设计人员实现真正兼容互通的电源设计,满足世界各地用户的可靠性预期。例如,致力于打开印度高质量消费类产品新兴市场的OEM厂商不断遭遇电气损坏问题,必须对退货产品进行维修或更换。我们的900 V开关电源IC可提供低成本且有效的保护,同时大幅降低运营及产品支持成本。”

  900V InnoSwitch3-EP IC样品现已开始供货,基于10,000片的订货量单价为每片1.18美元。900V LinkSwitch-TN2 IC样品也已开始供货,基于10,000片的订货量单价为每片0.60美元。。与900V系列IC相关的技术支持资料,请参见Power Integrations网站:https://ac-dc.power.com/applications/unstable-mains-voltage。

本文地址:http://www.ca800.com/news/d_1o18s0ie6bjh1.html

拷贝地址

上一篇:LED电子看板系统的功能模块划分

下一篇:皮尔磁:AGV的安全防护之速度监控

版权声明:版权归中国自动化网所有,转载请注明出处!

相关新闻
MOSFET 离线式开关电源IC
  • 东芝推出面向更高效工业设备的第3代SiC MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,已于今日开始出货。

  • 新增国产耗尽型MOSFET,世强硬创全线代理方舟微消费/工业类产品线

    世强硬创平台与成都方舟微电子有限公司(下称“方舟微“)签署合作协议,方舟微授权世强硬创平台代理旗下耗尽型MOSFET、增强型MOSFET和保护器件等全线产品。功率半导体,

  • 新增国产耗尽型MOSFET,世强硬创全线代理方舟微消费/工业类产品线

    世强硬创平台与成都方舟微电子有限公司(下称“方舟微“)签署合作协议,方舟微授权世强硬创平台代理旗下耗尽型MOSFET、增强型MOSFET和保护器件等全线产品。功率半导体,

  • 瑞能半导体亮相PCIM Europe, 用“芯”加码实现最佳效率

    一年一度的PCIM Europe盛大开幕,作为全球领先的功率半导体供应商,瑞能半导体携SiC Diodes和SiC MOSFETs,第三代肖特基二极管G3 SBD、第五代软恢复二极管G5 FRD等多款旗舰产品重磅回归PCIM Europe展会,全方位展示行业领先的技术、产品应用和解决方案,和诸多业内伙伴共话智能制造行业在全球范围内的可持续发展。

  • 安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET

    安森美(onsemi)在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。

  • 国内率先实现12寸晶圆中低压MOSFET,月产能可达100KK~150KK

    新能源汽车和5G需要搭载大量电源管理IC,其中新能源汽车需要负荷瞬间大电流,因此需要更多的中高压MOSFET。锐骏是国内率先实现MOSFET 12寸晶圆工艺量产的厂家,其MOSFET自主研发比例超95%,独创TO-220内绝缘封装技术解决终端散热和装配技术难点。自有封装产线及封装工艺技术优势,可提供更低的成本,使产品更具市场竞争力

  • 国内率先实现12寸晶圆中低压MOSFET,月产能可达100KK~150KK

    新能源汽车和5G需要搭载大量电源管理IC,其中新能源汽车需要负荷瞬间大电流,因此需要更多的中高压MOSFET。锐骏是国内率先实现MOSFET 12寸晶圆工艺量产的厂家,其MOSFET自主研发比例超95%,独创TO-220内绝缘封装技术解决终端散热和装配技术难点。自有封装产线及封装工艺技术优势,可提供更低的成本,使产品更具市场竞争力

  • 国内率先实现12寸晶圆中低压MOSFET,月产能可达100KK~150KK

    新能源汽车和5G需要搭载大量电源管理IC,其中新能源汽车需要负荷瞬间大电流,因此需要更多的中高压MOSFET。锐骏是国内率先实现MOSFET 12寸晶圆工艺量产的厂家,其MOSFET自主研发比例超95%,独创TO-220内绝缘封装技术解决终端散热和装配技术难点。自有封装产线及封装工艺技术优势,可提供更低的成本,使产品更具市场竞争力

猜您喜欢

更多精彩信息看点 请扫描以下二维码