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Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件, RDS(ON)*Qg FOM仅为2.8 Ω*nC,达到业内先进水平

发布时间:2022-02-22 来源:中国自动化网 类型:产品资讯 人浏览
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Vishay MOSFET器件

导  读:

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27%,为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案,同时实现栅极电荷下降60%。


  宾夕法尼亚、MALVERN—2022年2月21日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27%,为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案,同时实现栅极电荷下降60%。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内先进水平,该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标(FOM)。


Vishay ,MOSFET器件


  Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种新型电子系统。随着SiHK045N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品,公司可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度的要求——包括功率因数校正和硬切换AC/DC转换器拓扑结构。

  SiHK045N60E采用Vishay最新高能效E系列超级结技术,10 V下典型导通电阻仅为0.043Ω,超低栅极电荷下降到65 nC。器件的FOM为2.8Ω*nC,比同类接近的MOSFET竞品器件低3.4%。SiHK045N60E有效输出电容Co(er)为117 pF,有助于改善开关性能。这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗,从而达到节能效果。SiHK045N60E结壳热阻RthJC为0.45 C/W,比接近的竞品器件低11.8%,具有更加出色的热性能。

  该器件采用PowerPAK®10x12封装,符合RoHS标准,无卤素,可承受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100%通过UIS测试。

  SiHK045N60E现可提供样品并已实现量产,供货信息可与当地Vishay销售代表联系或发送电子邮件至hvm vishay.com。

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