【2022年7月8日，德国慕尼黑讯】数字化、低碳化等全球大趋势推升了采用宽带隙(WBG)器件碳化硅/氮化镓(SiC/GaN)器件的需求。这类器件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。英飞凌科技公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)与台达电子工业股份有限公司(TWSE:2308)两家全球电子大厂，长期致力于创新的半导体和
电力电子领域，今日宣布深化其合作，强化宽带隙SiC及GaN器件在高端电源产品上的应用，为终端客户提供出色的解决方案。
600 V CoolGaN HSOF-8
目前，英飞凌与台达持续加深产品的结合与应用合作，台达最新的1.4 kW服务器电源和1.6 kW的80 Plus钛金级电竞电源皆采用了英飞凌的宽带隙功率器件。台达凭借在电力电子领域积累的数十年的核心竞争力，结合英飞凌高效能的非对称沟槽式CoolSiC MOSFET技术，推出的1.4 kW服务器电源供应器，可实现超过96%的效率。另一项1.6 kW钛金级电竞电源则采用英飞凌CoolGaN技术与EiceDRIVER闸极驱动器IC，在多电压输出时效率可达96%，远高于工业领域的钛金级标准(94%)，这主要归因于采用英飞凌的CoolGaN GIT(闸极电流注入晶体管)600 V e-mode HEMT技术，搭配交错式图腾柱PFC拓扑，让整体的效率获得大幅提升。
650 V CoolSiC MOSFET TO247-4
这两项指标性的设计案例成功地展示了结合双方优势所打造的优异成果。凭借英飞凌领先业界、以效能为导向、高可靠性的宽带隙器件产品组合，以及台达在电力电子系统的创新能力，共同实现电源供应器全新的效率水平，满足甚至超越了现今80 Plus的标准。藉由双方合作的深化，两家企业希望透过英飞凌高质量且高性价比的宽带隙技术，以及高度稳定的供货能力，助力台达为终端客户提供更高能效的解决方案，在宽带隙技术打造低碳应用的浪潮中取得领先地位。
台达副总裁暨电源及系统事业群总经理尹旋博表示：“台达每年投入超过8%的营收于研发创新，为服务器、电竞计算机以及其他多元产业的客户，提供高效、可靠的电源方案，满足其对节能的需求。要在竞争激烈的市场中实现目标、取得成功，需要与值得信赖、对于电源系统领域充分理解的领先器件供货商合作，并对特定应用提供客制化的解决方案。英飞凌是世界级的半导体和系统解决方案供货商，也是台达长期合作伙伴，其多元、高效的WBG产品协助我们打造领先业界的电源产品。”
英飞凌电源与感测系统事业部高效电源供应、隔离与连接事业线负责人Johannes Schoiswohl
英飞凌电源与感测系统事业部高效电源供应、隔离与连接事业线负责人Johannes Schoiswohl表示：“英飞凌对于宽带隙产品生产规模的投入和卓越技术，加上着重于价值链上每一阶段的质量与可靠性，是我们宽带隙半导体业务能够取得成功，并获得客户认同的关键因素。我们的器件采用严格的质量和可靠性测试程序，超越JEDEC标准的规格要求，因此可以预测我们宽带隙器件的长期特性，确保在整个产品生命周期内的可靠性能。我们很高兴能与我们的长期伙伴台达，基于跨越20多年的合作与信赖，持续拓展合作项目，利用双方在技术与系统领域的专长，为服务器及电竞市场带来符合未来需求的创新电源解决方案。”