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光刻机大厂即将发布新型ArF浸没式扫描仪,整体生产率提高10-15%

发布时间:2023-12-11 来源:中自网 类型:行业资讯 人浏览
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导  读:

据尼康官方消息显示,尼康宣布将于2024年1月起发布ArF浸没式扫描仪NSR-S636E,作为关键层的曝光系统,该系统具有更高生产率,并具有高水平的套印精度和吞吐量。 图片来源:尼康官网 尼康在介绍中表示,随着数字化转型的加速,能够更快地处理和传输大量数据的高性能半导体变得越来越重要。领先半导体性能的技术创新的关键推动...,系统,图像,测量,半导体

 
据尼康官方消息显示,尼康宣布将于2024年1月起发布ArF浸没式扫描仪NSR-S636E,作为关键层的曝光系统,该系统具有更高生产率,并具有高水平的套印精度和吞吐量。

 

图片来源:尼康官网

 

尼康在介绍中表示,随着数字化转型的加速,能够更快地处理和传输大量数据的高性能半导体变得越来越重要。领先半导体性能的技术创新的关键推动因素是电路图案小型化和 3D 半导体器件结构,而 ArF 浸没式扫描仪对于这两种制造工艺都至关重要。与传统半导体相比,3D半导体制造过程中更容易发生晶圆翘曲和变形,因此需要比以往更先进的扫描仪校正和补偿功能。

 

据介绍,NSR-S636E是一款用于关键层的浸润式光刻机。尼康声称,它较以往更高的精度测量晶圆翘曲、扭曲和其他变形,并实现了高重叠精度(MMO ≤ 2.1 nm)。NSR-S636E ArF 浸没式扫描仪采用增强型 iAS,可在曝光前执行复杂的晶圆多点测量。该创新系统利用高精度测量和广泛的晶圆翘曲和畸变校正功能,实现了高重叠精度(MMO ≤ 2.1 nm)。此外,吞吐量已增加至每小时280发,并且通过减少停机时间,与当前型号相比,整体生产率提高了10-15%,已达到该司半导体光刻设备中最高的生产率水平。

 

此外,尼康表示,曝光设备在不牺牲生产率的情况下,在需要高重叠精度的半导体制造工艺中具有优异的性能,例如三维半导体,作为提高半导体性能的方法,这些工艺正在进一步进行技术开发。该公司表示,将针对半先进逻辑和存储器以及CMOS图像传感器和3D NAND等三维半导体的多样化需求提出最佳解决方案。

 

光刻机格局:三分天下

光刻机是半导体制造的核心,用于将电子电路蚀刻在基板上。目前,ASML、尼康、佳能三家占据了绝大部分的市场股份。在1990年代之前,尼康和佳能曾在光刻机市场占据主导,随后ASML在最尖端的极紫外(EUV)设备的开发竞争中实现赶超,随着极紫外光刻机在2010年后半期实用化,ASML逐渐占据光刻机市场主导地位。

 

作为重回市场的策略之一,尼康表示将于2024年夏季推出采用成熟技术的光刻机新产品。使用了1990年代初实用化、被称为“i线”的老一代光源技术。着眼于适合制造需要耐久性的功率半导体等的特点。市场观点人文,尼康将使用通用的电子零部件等,价格能比佳能便宜2~3成左右。

 

而佳能则声称可研发新的EUV光刻机替代方案,这一观点也引发了全球半导体产业的关注。据悉,佳能EUV光刻机替代方案采用了全新的光学系统和制造工艺,可以在不使用EUV光刻机的情况下,实现高精度的芯片制造。这一突破性的技术进步为全球半导体产业带来了新的选择和希望。

 

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