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东芝和IBM将联合开发32nm Bulk CMOS工艺
2007-12-20 7:42:15    网友评论 点击查看
  美国IBM和东芝宣布,已就联合开发32nm Bulk CMOS工艺达成协议。

  两公司从2005年12月起,一直在位于美国纽约州约克城(Yorktown)和奥尔巴尼(Albany)的研究设施内,共同推进32nm以后的半导体工艺基础研究。根据此次的协议,两公司将以此前的基础研究成果为基础,把联合开发对象拓展至32nm Bulk CMOS工艺上。

  根据协议,东芝将加入目前IBM及其合作企业共6家公司设在美国纽约州East Fishkill的、32nm Bulk CMOS工艺联合开发联盟中。

  东芝的齐藤升三(高级常务执行董事半导体公司社长)表示,“东芝继与IBM的联合进行基础研究之后,还将作为全球主要SoC厂商成立的联合开发小组成员,推进32nm Bulk CMOS工艺的开发。同时,将加速东芝Advanced Micro-Electronics Center推进的32nm量产工艺开发,目标是早日实现最尖端元件的量产”。
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