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Vishay推出最大结温高达 +175°C的业界首款第5代高性能45V肖特基二极管
基于亚微米沟槽技术的新器件具有 60A 时低于 0.50V 至 30A 时低于 0.54V 的超低典型正向压降,以及 +125°C 时 2mA 至 5mA 的超低反向漏电流
2008-7-12 14:21:13    网友评论 点击查看

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 7 月 11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布推出最大结温高达 +175°C 的业界首款新型第五代(Gen. 5.0)高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。

  日前推出的这两款肖特基二极管在+125°C 时具有超低的最大正向压降,对于 2 x 30A 60CPT045,30A 时典型正向压降低于0.50V,对于 2 x 15A 30CTT045,15A 时典型正向压降低于0.50V。这两款器件在+125°C 时均具有超低的反向漏电流,分别为5mA及2mA,并且参数分布非常紧凑。这两款器件均提供了优化的VF与IR权衡,可实现更高的系统效率。

  30CTT045与60CPT045均为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D级放大器,以及直流到直流模块应用进行了优化。应用所涉及的典型终端产品包括高功率密度 SMPS;台式电脑适配器;服务器、汽车驱动器与控制装置;消费类电子产品,例如PDP、LCD 及高效的音频系统;移动电子产品,例如笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器。

  对于设计人员,这些新型器件采用符合RoHS的小型封装,可改善成本功耗比,并且具有RBSOA,可实现紧凑的低成本设计。30CTT045采用TO-220 封装,而60CPT045采用TO-247封装。

  稳定的高击穿电压(一般高于57V)可适应电压峰值并优化功率密度,在这些二极管中,功率密度增加了25%。这两款器件坚固耐用,其抗反向雪崩能力提高了40%,雪崩时部件可得到完全屏蔽,且开关损耗极小。

  目前,新型30CTT045与60CPT045的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 6~8 周。

VISHAY简介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富 1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器)的最大制造商之一,这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。

  有关 Vishay 的详细信息,可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com

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