性能特点
替代第3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM
采用全栅型CSTBT
TM硅片具有低损耗
600V: Vce(sat)(@Tj=125?C)=2.55V －－-> 1.75V
1200V: Vce(sat)(@Tj=125?C)=2.6V －－-> 1.85V
优化片上温度传感器
新的结线技术显著改善功率循环
兼容现有V系列小封装
SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用（可选）
V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比，降低约20%
（PM300DV1A120与PM300DVA120相比较）
内部框图
应用领域
高端通用变频器、伺服电机驱动器等
封装尺寸
120mm×70mm
IPM (V1 series)
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VCES (V)
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结构
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Ic(A)
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200
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300
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400
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450
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600
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600
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2单元
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PM400DV1A060 (411KB)
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PM600DV1A060 (410KB)
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1200
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2单元
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PM200DV1A120 (410KB)
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PM300DV1A120 (410KB)
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PM450DV1A120 (412KB)
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