绝缘栅双极晶体管(IGBT)是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，大规模应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。氮化硅基板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。
高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过氮化硅陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此氮化硅陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。它既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能，并能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。氮化硅陶瓷覆铜板集合了功率电子封装材料所具有的各种优点：
1)陶瓷部分具有优良的导热耐压特性;
2)铜导体部分具有极高的载流能力;
3)金属和陶瓷间具有较高的附着强度和可靠性;
4)便于刻蚀图形，形成电路基板;
5)焊接性能优良，适用于铝丝键合。
陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆铜板性能的决定因素。目前，已应用作为陶瓷覆铜板基板材料共有三种陶瓷，分别是氧化铝陶瓷基板、碳化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。氧化铝陶瓷基板是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的绝缘性、好的化学稳定性、好的力学性能和低的价格，但由于氧化铝陶瓷基片相对低的热导率、与硅的热膨胀系数匹配不好。作为高功率模块封装材料，氧化铝材料的应用前景不容乐观。
斯利通氮化硅陶瓷基板简介：
材质：氮化硅
层数：单层
基材厚度：1.0mm
表面铜厚：100um（按要求定制）
最小线宽线距：0.075mm
表面处理：沉镍金，镍厚：3-8um，金厚：1u”-6u”