igbt模块

性能特点 基板：有Cu和AlSiC两种 额定电压：从1700V到6500V 额定电流：从200A到2400A 绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到业界公认 N系列：采用 CSTBTTM硅片，进一步降低损耗，缩小体积 N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封装与H系列兼容 R系列：封装尺寸与 H 系…

应用场合 大电机驱动 分散式电力发电(风力发电等) 大功率UPS 新MPD系列性能特点 采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc） 内部硅片分布均匀，Rth(j-c)低 …

性能特点 第6代CSTBTTM硅片技术带来： 杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat)Vs. Eoff 新的紧凑型封装 良好的匹配液体冷却 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 端子孔径与安装定位孔径一致 不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒 应用领域 大电机驱动，风力发电，大功率U…

性能特点 采用第6代IGBT硅片技术，损耗低 硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻 封装兼容第五代A/NF系列模块 应用场合: 通用变频器 IGBT Modules (NFH series) 型号 电压 电流 拓扑 …

性能特点 采用第6代IGBT硅片技术，损耗低 二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低 硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻 全系列共享同一封装平台 有条件接受客户定制 第6代NX系列IGBT模块产品一览(1200V) 第6代NX系列IGBT模块产品一览(1200…

性能特点 最新的CSTBTTM硅片技术带来： 杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat)Vs. Eoff 新的紧凑型封装 良好的匹配液体冷却 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 端子孔径与安装定位孔径一致 不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒 应用领域 大电机驱动，风力发电，大功率…

性能特点 采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化 饱和压降低于业界同类产品 续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流 开关频率可达30kHz 模块内部寄生电感低 内部连接图 应用领域 变频焊接设备等中高频开关应用 IGBT Modules (NFM series) 电路拓扑 …

全新原装韩国大卫 IGBT模块 DM2G50SH6A DM2G75SH6A DM2G100SH6A DM2G50SH6N DM2G75SH6N DM2G100SH6N DM2G150SH6NE DM2G150SH6A DM2G200SH6A DM2G150SH6N DM2G200SH6N DM2G300SH6NE DM2G300SH6A DM2G400SH6A DM2G300SH6N DM2G400SH6N DM2G50SH12A DM2G75SH12A DM…

大卫IGBT模块 DM2G50SH12A DM2G75SH12A DM2G100SH12AE DM2G100SH12A DM2G150SH12AE DM2G200SH12AE DM2G100SH12AL DM2G150SH12A DM2G200SH12A DM2G300SH12A DL2G50SH6A DL2G75SH6A DL2G100SH6A

西门子IGBT模块 欧派克EUPEC IGBT模块 图示 BZKR 西门子IGBT西门子可控硅西门子二极管（耐压600V/1200V/1700V系列） BSM200GA120DN2200A/1200V/1UBSM200GA170DN2200A/1700V/1U BSM300GA120DN2300A/1200V/1UBSM300GA170DN2300A/1700V/1U BSM400GA120DN2400A/1200V/1UBSM400…