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近年来,以SiC(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。SiC和Si来竞争制造功率半导体无论是在科学和实践上都得到了实力上的体现,尤其是随着新能源电动车的普及和发展,主机厂开始转向800V高压平台,对SiC的需求量越来越大,其在汽车上的应用步...,IGBT,光伏,IGBT,应用,新能源汽车,IGBT
瑞萨电子今日宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器应用,AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。
车载逆变器供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)最新推出的750 V车规级IGBT,包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两个型号。
英飞凌科技股份公司(发布了采用EconoDUAL3标准工业封装的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模块。
2021年富士电机推出了基于第七代IGBT模块技术的新一代工业RC-IGBT(Reverse-ConductingIGBT)模块产品系列。RC-IGBT将反向并联连接的IGBT芯片和FWD芯片的功能集成到单个芯片上,工作时的等效散热面积更大,可以大大降低结到壳热阻。
为了满足这些需求,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布扩大其碳化硅产品组合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。
6月23日下午,赛晶亚太半导体IGBT生产线竣工投产仪式在赛晶IGBT生产基地成功举办。
作为功率半导体行业的领导企业,瑞能将第三次参加慕尼黑上海电子展,瑞能半导体展台届时会展出适用于消费类市场和工业类市场的各类功率器件产品,也会集中展示近期推出的第三代碳化硅,包括基于国际最新技术的第六代碳化硅以及碳化硅MOSFET产品系列,IGBT,TVS/ESD等多种新系列产品。
近年来,随着新能源车、汽车充电桩、直流变频家电等领域的快速发展,中国IGBT需求也进入了爆发期,IGBT市场容量也在加速提升。但IGBT的销售市场一直被英飞凌、三菱、富士电机、安森美等极少数经销商垄断,中国功率半导体的销售市场产出率稍低,中高档输出功率不足10%,国内功率半导体的替代空间巨大。
英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布,将新增在华投资,扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。