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新闻

第6/6.1代NX系列IGBT模块
更新：2014-08-18

性能特点采用第6代IGBT硅片技术，损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台有条件接受客户定制第6代NX系列IGBT模块产品一览(1200V) 第6代NX系列IGBT模块产品一览(1200…
第5代MPD系列IGBT模块
更新：2014-08-18

性能特点最新的CSTBTTM硅片技术带来：杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat)Vs. Eoff 新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接端子孔径与安装定位孔径一致不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒应用领域大电机驱动，风力发电，大功率…
第5代NFM系列IGBT模块
更新：2014-08-18

性能特点采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化饱和压降低于业界同类产品续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流开关频率可达30kHz 模块内部寄生电感低内部连接图应用领域变频焊接设备等中高频开关应用 IGBT Modules (NFM series) 电路拓扑 …
三菱第5代NFH系列IGBT模块
更新：2014-08-18

性能特点采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化饱和压降低于业界同类产品续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流开关频率可达60kHz 模块内部寄生电感低应用领域: 变频焊接设备等中高频开关应用
三菱第5代NX系列IGBT模块
更新：2014-08-18

性能特点采用最优化CSTBTTM硅片技术有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台耐功率循环和热循环能力强具有竞争力的性价比有条件接受客户定制应用领域通用变频器等交流电动机驱动应用
第5代A系列IGBT模块
更新：2014-08-18

性能特点采用CSTBTTM硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小模块内部寄生电感小功率循环能力显著改善应用领域适合中、低端变频器产品设计 …
三菱第5代NF系列IGBT模块
更新：2014-08-18

性能特点采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用额定电流定义比市场上同类产品高一个等级外形尺寸与H系列IGBT完全兼容内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc 高功率循环能力应用领域通用…
DM2G100SH12AL DM2G100SH12AE韩国大卫DAWIN IGBT模块实图拍摄
更新：2017-12-10

大卫IGBT模块 DM2G50SH12A DM2G75SH12A DM2G100SH12AE DM2G100SH12A DM2G150SH12AE DM2G200SH12AE DM2G100SH12AL DM2G150SH12A DM2G200SH12A DM2G300SH12A DL2G50SH6A DL2G75SH6A DL2G100SH6A
西门子IGBT模块欧派克EUPEC IGBT模块图示 BZKR
更新：2017-09-18

西门子IGBT模块欧派克EUPEC IGBT模块图示 BZKR 西门子IGBT西门子可控硅西门子二极管（耐压600V/1200V/1700V系列） BSM200GA120DN2200A/1200V/1UBSM200GA170DN2200A/1700V/1U BSM300GA120DN2300A/1200V/1UBSM300GA170DN2300A/1700V/1U BSM400GA120DN2400A/1200V/1UBSM400…
eupec可控硅 EUPEC二极管 EUPEC IGBT 英飞凌infineon 图示 BZKR
更新：2017-09-06

英飞凌infineon eupec T系列相控可控硅(Phase Control Thyristors)—平板型 Up to 800V :T348N02-06TOFT568N02-06TOF T828N02-06TOF T1078N02-06TOF T1258N02-06TOF T3709N02-06TOF Up to 2000V :T178N06-18TOFT218N06-18TOFT298N06-16TOFT358N06-18TOFT378N12-16TOFT388N06-18TOFT508N1…

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