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本文从分析IGBT 逆变焊机电磁骚扰的来源、危害入手,结合GB15579.10-2008《弧焊设备 第10部分:电磁兼容性(EMC)要求》标准,介绍了采用金属外壳的
IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和双极的特有失效模式,还有混合型特有的失效模式。
栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗等。文章分析了通过优化栅极电阻RG来调节IGBT的动态特性,使其工作在最佳开关状态。
多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件,它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性,
降低动态功耗需要快速地开关功率半导体。一个典型的系统包括几十个并联的功率半导体,这些功率半导体在上千伏直流母线上开关着数千安培的电流。
IGBT管在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制IGBT管的。
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