igbt模块

性能特点 采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化 饱和压降低于业界同类产品 续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流 开关频率可达60kHz 模块内部寄生电感低 应用领域: 变频焊接设备等中高频开关应用

性能特点 采用最优化CSTBTTM硅片技术 有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构 内部集成NTC测温电阻 全系列共享同一封装平台 耐功率循环和热循环能力强 具有竞争力的性价比 有条件接受客户定制 应用领域 通用变频器等交流电动机驱动应用

性能特点 采用CSTBTTM硅片技术 饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小 比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 模块内部寄生电感小 功率循环能力显著改善 应用领域 适合中、低端变频器产品设计 …

性能特点 采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用 额定电流定义比市场上同类产品高一个等级 外形尺寸与H系列IGBT完全兼容 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc 高功率循环能力 应用领域 通用…

性能特点 ： 采用CSTBTTM硅片技术 饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小 比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 模块内部寄生电感小 功率循环能力显著改善 应用领域： 适合中、低端变频器产品设计…

性能特点 采用CSTBTTM硅片技术 饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小 比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装 内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小 模块内部寄生电感小 功率循环能力显著改善 应用领域 适合中、低端变频器产品设…

德国SIEMENS西门子IGBT模块 图示 BZKR 德国SIEMENS西门子IGBT模块www.bzkr.com.cn 6SY7000-0AC85 6SY7000-0AC87 6SY7000-0AA23 6SY7000-0AC88 6SY7000-0AA16 6SY7000-0AC86 6SY7000-0AC81 6SY7000…

1MBH50-0901MBH60-1001MBH60D-1001MBI30L-0601MBI50L-0601MBI75L-0601MBI100L-0601MBI150NH-0601MBI150NK-0601MBI200L-1201MBI200N-1201MBI200S-1201MBI200F-1201MBI300F-1201MBI300L-1201MBI300N-1201MBI300S-1201MBI300JN-1201MBI300JB-1201MBI300NP-1201MBI…

昆山奇沃电子电气有限公司是一家多年从事电力电子产品设计、制造、销售为一体的高科技企业，专业生产营销各种规格的晶闸管、整流管、可控硅模块、快恢复二极管模块、整流桥模块、固态继电器等产品。其技术力量雄厚，检测设备先进，管理体系完美。产品在国内市场上享有美誉，而且远销俄罗斯、韩国、东南亚、中东、东欧、南…