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晨控CK-GW06系列网关与汇川可编程控制器MOSBUSTCP通讯手册
本文定义了一个流程，可以在快速探索设计空间的同时，利用精细的工厂SPICE器件模型。本流程的核心在于，利用具有多个不同可信度水平的模型，以匹配具体设计问题有待解决的模型。另外重要的一点在于，利用低可信度水平，预初始化精细仿真模型，这样可以缩短初始化时间。
CMOS图像传感器的电源布局会显著影响分辨率、帧率等性能。本文讨论针对此应用设计电源方案时的重要考量。
本次实验旨在研究使用增强模式NMOS晶体管的简单差分放大器。
随着汽车中的高性能CMOS成像、激光雷达等智能感知配置的增加，汽车自动驾驶水平在不断提高，同时减少交通事故伤亡，提高道路安全性。
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。
本次活动是对11月份学子专区的延续；本次将介绍电流镜，其输出可以不受输入电流变化的影响。因此，使用MOS晶体管从另一个角度来研究零增益放大器的性能将颇有助益。
本文将强调出无论就能源效率、散热片尺寸或节省成本方面来看，工业传动不用硅基（Si）绝缘栅双极电晶体（IGBT）而改用碳化硅MOSFET有哪些优点。
安森美半导体作为汽车功能电子化的领袖之一，为电动汽车OBC和直流充电桩提供碳化硅(SiC)MOSFET、超级结MOSFET、IGBT和汽车功率模块(APM)等广泛的产品阵容乃至完整的系统方案，以专知和经验支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍针对主流功率等级的高能效OBC方案。
安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等，支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍用于电动汽车直流充电桩的超级结MOSFET和具成本优势的IGBT方案。