东芝日前开发出了导通电阻仅4Ωmm2的功率MOSFET产品“TK15A60S”，导通电阻比原产品降低了约60%。栅-漏极间的寄生电容为27nC，作为功率MOSFET开关特性指标的Ron×Qgd（导通电阻与栅-漏极间寄生电容的乘积）比该公司原产品降低约1/4。Ron×Qgd为“业界最低”（东芝）。主要面向电视机等家电类AC适配器等领域。耐压600V。源-漏极间的额定电流为15A。阈值电压为＋3.0V～＋5.0V。2005年3月23日开始供应样品，计划从4月开始以月产100万个的规模投入量产。
为了降低导通电阻与寄生电容，此次采用了名为“Super Junction结构”的竖型晶体管结构。作为普通的竖型晶体管结构，为了降低导通电阻而提高n型杂质浓度后，耐压便会随之下降。而Super Junction结构的耐压本来就可以设计得很高，即便提高杂质浓度，也能够在不牺牲耐压的情况下降低导通电阻。采用Super Junction结构的功率MOSFET，德国英飞凌科技等欧美厂商已经开始投产。此次，东芝在业界首次采用一项在元件中设计深沟道（deep trench）的沟道技术，形成了Super Junction结构。采用深沟道技术，可以简化Super Junction结构的形成工艺。