欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors)将薄膜技术用于红外元件，开发出第一代850nm红外发射二极管(IRED)，在正常芯片尺寸下，该器件的总功率达到50mW，正向电流达到100mA。
薄膜芯片可通过芯片顶部发射由器件内部产生的所有光线，其发光层很薄，且接近表层，因而几乎没有光线能从侧面逃逸。这意味着其辐射输出强度与芯片的尺寸成正比。在Electronica展会上，Osram将展示1A下的dc输出超过400mW的薄膜红外发射二极管原型，其面积扩大了9倍。该芯片产生的光线径向分量可通过透镜聚焦，产生极强的径向光，甚至对于小尺寸芯片，在小角度(约3°)条件下，其光强也能达到700mW/sr。
欧司朗新型IRED的波长为850nm，比发射光线波长为880nm的常规IRED更接近可见光(400到780nm)，因而适用于现代CMOS和CCD相机产品以及汽车夜视系统。这种不可见光(invisible light)也可用于安全及其相关监视应用。
这些IRED产品采用以SMT为主的多种封装形式，可用于车内不可见光照明、空气气囊的位置控制、停车场视频辅助监控和交通流量及速度测量等领域。