俄德合资成立的NSC-Nanosemiconductor GmbH公司近日宣布，密西根大学的研究人员采用该公司提供的晶圆，已经制作出能在0~80℃范围内稳定工作的波长1.3μm边射型半导体激光器(edge-emitting semiconductor laser)。
NSC-Nanosemiconductor GmbH的首席执行官Berned Meyer表示，量子点 (quantum dot)技术及分子束外延(MBE)制造法所提供的温度稳定性，使半导体激光器不需要热电偶冷却器及复杂的光探测电路，就能在一定的温度范围内维持固定的工作功率，光收发器制造商将因此得以节省成本并简化工艺。
这家由俄罗斯Abram Ioffe物理技术研究独立出来的公司，采用的是与砷化镓 (GaAs)有关的量子点技术及一种降低缺陷的专利技术。该公司宣称，Pallab Bhattacharya 领导的密西根研究小组已将他们生产的晶圆加工成400μ×3μ的脊状波导激光器(ridge waveguide laser)。
Bhattacharya指出，实验已经证明自组织（self-organized）量子点激光器有超低的阀值电流、高输出功率及效率、极低的啁啾现象、小于1的线宽增强因子，以及大的调制频宽，现在再加上工作不受温度影响，量子点激光器已经蜕变成令人敬畏的技术。 Abram Ioffe的所长诺贝尔奖得主Zhores Alferov，同时也是NSC-Nanosemiconductor科学顾问群的荣誉主席，对于多年的先进研究得以真正实现也表示非常欣慰，并断言这只是量子点技术进一步技改造半导体激光器领域的开端。