AMD和IBM日前宣布，他们共同为提高处理器的性能和能效开发了一种新颖的、独特的应变硅晶体管技术。与原先的晶体管相比，这种突破性的制造技术可在功耗不变的情况下将晶体管的工作速度加快24％。
采用速度更快、能效更高的晶体管是处理器提高性能、降低功耗的基础。随着体积的不断减小，晶体管的工作速度越来越快，但是因为漏电和无效切换而导致功耗和热量过高的风险也随之增加。AMD和IBM联合开发的应变硅技术有助于解决这些问题。另外，这也让AMD和IBM成为首批推出支持绝缘硅（SOI）的应变硅技术的公司，从而使得他们的芯片在性能和功耗方面具有明显的优势。
AMD打算逐步将新的应变硅技术加入到它的90nm处理器平台中，其中包括它将来的多内核AMD64处理器。AMD计划在2005年上半年推出第一款采用这项技术的90nm AMD64处理器。IBM则计划在多个90nm处理器平台上采用这项技术，其中包括它的基于Power架构的芯片。第一款这样的芯片将于2005年上半年推出。这种被称为“双轴应变衬底”的新型应变硅制造技术可以在一个晶体管中拉伸硅原子，在另外一个晶体管中压缩硅原子，提高被称为N沟道和P沟道的半导体晶体管的性能。双轴应变衬底技术不必采用任何复杂、昂贵的新型制造技术，从而可以利用标准的工具和材料迅速地集成到批量生产流程中。应变硅设计方面的这一突破是IBM纽约设计部门与AMD德国开发中心全力合作的结晶。