Zetex Semiconductors日前推出一系列采用SOT23封装的中电压双极晶体管，可以处理达1.25W的功耗。新系列包括七款NPN和六款PNP器件，面积为3mm×2.5mm，可以取代体积更大的DPAK、SOT89和SOT223封装的器件，从而提升电路的功率密度。ZZTN和ZXTP双极器件的集极－发射极电压介于40V至100V之间，有助于设计用于汽车、工业和电信业应用的电灯、继电器和螺线管的高效开关。
该系列晶体管的阻断电压高达180V，可处理高达5A的连续集电极电流，因此能够切换高达500W的负载。此外，高达12A的脉冲电流额定值有助于以更高的速度驱动电源电路中更高电容的MOSFET和IGBT。
这些晶体管的饱和电压很低，以50V额定值的ZXTN2031F为例，只有40mV；等效导通电阻值也低于其他封装尺寸相仿的MOSFET，以100V额定值的ZXTN2020F为例，只有30mΩ，因此散热更少，工作温度更低。此外，这些双极晶体管的增益非常高，40V额定值的ZXTP25040DFH的增益至少为300。因此大型负载可以直接由集成电路驱动，而无需增加额外的缓冲器。