2010 年 11 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET －－- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。
栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC，是业界此类器件当中最低的。
SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。
新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技术制造，这种技术为减小通态电阻、在雪崩和通信模式中承受高能脉冲进行了有针对性的处理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，为保证可靠工作进行了完备的雪崩测试。
新款功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周到十二周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。