OH12AF锑化铟（InSb)霍尔元件
概述
型号：OH12AF 工作温度：-40～120℃ 封装：SOT143 包装：3000只/盘
锑化铟（InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成，以霍尔效应为工作原理，可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。
典型应用
检测磁性物质的旋转或者位置（用在无刷直流电机，无触点开关）
检测磁场（如无接触电流传感器等）
极限参数 (Ta=25℃)
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参数
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符号
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量值
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单位
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输入电流
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Imax
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20 (at 25℃)
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mA
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功耗
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Pmax
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150 (at 25℃)
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mW
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工作温度范围
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Top
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-40 ～+120
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℃
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储藏温度范围
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Tst
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-40 ～+150
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℃
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电参数 (Ta=25℃)
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参数
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符号
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检测条件
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最小值
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最大值
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单位
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霍尔输出电压
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VH
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Vin＝1V, B＝500G（恒压）
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266
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320
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mV
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输入电阻
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Rin
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I＝0.1mA
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240
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550
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Ω
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输出电阻
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Rout
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I＝0.1mA
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240
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550
|
Ω
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不等位电压
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Vo
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Vin＝1V, B＝0G
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-7
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+7
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mV
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输出电压的温度系数
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αVH
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Ta＝0～40℃ AVG.
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-
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-1.8
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% /℃
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输入输出电阻的温度系数
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αRi
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Ta＝0～40℃ AVG.
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-
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-1.8
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% /℃
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※ 霍尔输出电压VH为实测值减区VO值，即VH＝VHM－VO,
（VHM : 在500GS下测得的输出电压值）