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Vishay宣布推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件－－-SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数，该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
近期，英飞凌科技股份公司针对现在和未来的准谐振反激式拓扑趋势，开发出全新的700V CoolMOSTM P7产品系列。较之目前使用的超级结工艺，这些全新MOSFET实现了前所未有的性能改进。诸如智能手机和平板电脑充电器以及笔记本电脑适配器等软开关拓扑均能受益于此优势
2,500万像素的新型LX系列CMOS相机可以高速完成精确的检测工作。堡盟旗下LX系列相机配备了安森美半导体公司（ON Semiconductor）的全局快门CMOS传感器PYTHON 25K，像素可以达到2500万。
新款EX系列工业相机拥有符合行业标准的基本功能并集成了最新一代CMOS传感器。它们不仅继承了堡盟产品的卓越品质，而且性价比极高。
三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。三星在2016年6月于美国德州奥斯汀举行的设计自动化大会(DAC)上，曾展示了以28奈米HKMG块状CMOS制程生产的独立MRAM。
今天，英飞凌再次推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术亮相2016上海国际电力元件、可再生能源管理展览会，并进一步针对太阳能等可再生能源、轨道交通、输配电等智能制造应用领域持续发力。
全新1200 V 碳化硅（SiC） MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200 V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。
根据Yole Development公布的最新市场研究报告，CMOS传感器行业将在未来5年内繁荣发展，2015年至2021年的复合年增长率预计将达到10.4%，届时整个市场价值有望达到188亿美元。汽车行业，无人机产品，VR以及AR技术，这些都刺激了市场对CMOS的需求。
意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。
近期，半导体元器件分销商－－-大联大控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET－－-600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果特别显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源