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HD3X系列产品是基于NPC三电平技术平台的中压大功率水冷变频器，具备两/四象限、同/异步机控制的高性能矢量型变频器，支持单传、多传、冗余等多种传动形式；是一款定位于高端传动应用、高性能速度及转矩控制的驱动产品。具备高可靠性、灵活的系统集成能力、便捷的调试维护、高功率密度等特点。无论是模块结构、功率密度、响应…
特点：金升阳IGBT驱动器QC系列为混合集成型驱动器，可应用于任何需要栅极放大驱动的场合。产品通过高速光耦来实现功率半导体器件与控制电路之间的安全电气隔离，开关频率高达20KHZ，产品内部含短路保护与故障输出、过流故障时输出软关断及定时复位等功能。另外，金升阳QP系列及是内部集成隔离驱动器电源及驱动器的QC系列…
产品特点 内建 DC/DC 隔离电源、单电源供电 高隔离电压(3750VAC) 输入信号频率最高可达 20kHz 故障保护和故障反馈功能 故障保护后封锁输出信号并定时复位 故障检测抑制时间（盲区）可调 故障软关断时间可调 SIP 封装 …
性能特点 基板：有Cu和AlSiC两种 额定电压：从1700V到6500V 额定电流：从200A到2400A 绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到业界公认 N系列：采用 CSTBTTM硅片，进一步降低损耗，缩小体积 N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封装与H系列兼容 R系列：封装尺寸与 H 系…
应用场合 大电机驱动 分散式电力发电(风力发电等) 大功率UPS 新MPD系列性能特点 采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc） 内部硅片分布均匀，Rth(j-c)低 …
性能特点 第6代CSTBTTM硅片技术带来： 杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat)Vs. Eoff 新的紧凑型封装 良好的匹配液体冷却 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 端子孔径与安装定位孔径一致 不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒 应用领域 大电机驱动，风力发电，大功率U…
性能特点 采用第6代IGBT硅片技术，损耗低 硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻 封装兼容第五代A/NF系列模块 应用场合: 通用变频器 IGBT Modules (NFH series) 型号 电压 电流 拓扑 …
900A 1200V
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，大规模应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。氮化硅基板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。 高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通…
全新原装韩国大卫 IGBT模块 DM2G50SH6A DM2G75SH6A DM2G100SH6A DM2G50SH6N DM2G75SH6N DM2G100SH6N DM2G150SH6NE DM2G150SH6A DM2G200SH6A DM2G150SH6N DM2G200SH6N DM2G300SH6NE DM2G300SH6A DM2G400SH6A DM2G300SH6N DM2G400SH6N DM2G50SH12A DM2G75SH12A DM…